NVBGS6D5N15MC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVBGS6D5N15MC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 238 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 121 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1370 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: D2PAK-7

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NVBGS6D5N15MC datasheet

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NVBGS6D5N15MC

MOSFET - Power, Single N-Channel, D2PAK7 150 V, 7 mW, 121 A NVBGS6D5N15MC Features www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses Lowers Switching Noise/EMI V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 150 V 7 mW @ 10 V 121 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

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NVBGS6D5N15MC

MOSFET - Single N-Channel 150 V, 4.1 mW, 185 A NVBGS4D1N15MC Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses www.onsemi.com Lowers Switching Noise/EMI AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 4.1 mW @ 10 V 150 V 185 A

Otros transistores... NVB190N65S3F, NVBF170L, NVBG020N120SC1, NVBG040N120SC1, NVBG060N090SC1, NVBG080N120SC1, NVBG160N120SC1, NVBGS4D1N15MC, 2SK3568, NVBLS001N06C, NVBLS0D5N04M8, NVBLS0D7N04M8, NVBLS0D7N06C, NVBLS1D1N08H, NVBLS4D0N15MC, NVC3S5A51PLZ, NVD5C446N