NVMFS6H852N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NVMFS6H852N
   Código: 6H852N_852NWF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0142 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NVMFS6H852N

NVMFS6H852N Datasheet (PDF)

..1. Size:178K onsemi
nvmfs6h852n.pdf

MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 14.2 mW, 43 ANVMFS6H852NFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFS6H852NWF - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXInspection80 V 14.2 mW @ 10 V 43 A AEC-Q101 Qualifie

0.1. Size:178K onsemi
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MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 13.1 mW, 42 ANVMFS6H852NLFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS6H852NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalInspection13.1 mW @ 10 V80 V 42 A AEC-Q101 Quali

5.1. Size:174K onsemi
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MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 19.5 mW, 30 ANVMFS6H858NLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS6H858NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalInspection19.5 mW @ 10 V80 V 30 A AEC-Q101 Quali

5.2. Size:178K onsemi
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MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 20.7 mW, 32 ANVMFS6H858NFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFS6H858NWF - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXInspection80 V 20.7 mW @ 10 V 32 A AEC-Q101 Qualifie

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