NVMFS6H858N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NVMFS6H858N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0207 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NVMFS6H858N

NVMFS6H858N Datasheet (PDF)

..1. Size:178K onsemi
nvmfs6h858n.pdf

MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 20.7 mW, 32 ANVMFS6H858NFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFS6H858NWF - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXInspection80 V 20.7 mW @ 10 V 32 A AEC-Q101 Qualifie

0.1. Size:174K onsemi
nvmfs6h858nl.pdf

MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 19.5 mW, 30 ANVMFS6H858NLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS6H858NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalInspection19.5 mW @ 10 V80 V 30 A AEC-Q101 Quali

5.1. Size:178K onsemi
nvmfs6h852n.pdf

MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 14.2 mW, 43 ANVMFS6H852NFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFS6H852NWF - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXInspection80 V 14.2 mW @ 10 V 43 A AEC-Q101 Qualifie

5.2. Size:178K onsemi
nvmfs6h852nl.pdf

MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 13.1 mW, 42 ANVMFS6H852NLFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS6H852NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalInspection13.1 mW @ 10 V80 V 42 A AEC-Q101 Quali

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Liste

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