NVR5124PL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVR5124PL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.47 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27.6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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NVR5124PL datasheet

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NVR5124PL

NVR5124PL MOSFET Power, Single P-Channel, SOT-23 -60 V, -1.1 A, 230 mW Features Trench Technology www.onsemi.com NVR Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Qualified and PPAP Capable 230 mW @ -10 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant -60 V -1.1 A 365 mW @

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NVR5124PL

NVR5198NL Power MOSFET 60 V, 155 mW, Single N-Channel Logic Level, SOT-23 Features Small Footprint Industry Standard Surface Mount SOT-23 Package http //onsemi.com Low RDS(on) for Low Conduction Losses and Improved Efficiency AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 155 mW @ 10 V Com

Otros transistores... NVMFS6H864N, NVMFS6H864NL, NVMTS0D4N04CL, NVMTS0D6N04C, NVMTS0D7N04C, NVMTS0D7N04CL, NVMTS0D7N06CL, NVMYS4D6N04CL, 7N60, NVTFS002N04C, NVTFS002N04CL, NVTFS003N04C, NVTFS004N04C, NVTFS005N04C, NVTFS008N04C, NVTFS010N10MCL, NVTFS014P04M8L