NVR5124PL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NVR5124PL
   Código: V24*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.47 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NVR5124PL

NVR5124PL Datasheet (PDF)

..1. Size:123K onsemi
nvr5124pl.pdf

NVR5124PLMOSFET Power, SingleP-Channel, SOT-23-60 V, -1.1 A, 230 mWFeatures Trench Technologywww.onsemi.com NVR Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXQualified and PPAP Capable230 mW @ -10 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant-60 V -1.1 A365 mW @

9.1. Size:121K onsemi
nvr5198nl.pdf

NVR5198NLPower MOSFET60 V, 155 mW, Single N-Channel LogicLevel, SOT-23Features Small Footprint Industry Standard Surface Mount SOT-23 Packagehttp://onsemi.com Low RDS(on) for Low Conduction Losses and Improved Efficiency AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS155 mW @ 10 VCom

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: