STV10NA40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STV10NA40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.75 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 54 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO10

Otros transistores... STP7NA60 , STP7NA60FI , STP8N50XI , STP8NA50 , STP8NA50FI , STP9N30 , STP9NA50 , STP9NA50FI , STP65NF06 , STV12N20 , STV18N20 , STV33N10 , STV36N06 , STV3NA80 , STV40N05 , STV40N10 , STV4N100 .