PJM3407PSA Todos los transistores

 

PJM3407PSA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJM3407PSA
   Código: R7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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PJM3407PSA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1464K  pjsemi
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PJM3407PSA
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PJM3407PSAP Enhancement Field Effect TransistorSOT-23Features VDS=-30V, ID=-4.1ARDS(on)=50m (Typ.)@VGS=-10V High density cell design for ultra low RDS(ON) Low gate charge1. Gate 2.Source 3.DrainMarking: R7ApplicationsSchematic Diagram Load Switch and in PWM ApplicationsDrain31GateSource2Absolute Maximum Ratings Ratings at TA =25 unless ot

 8.1. Size:2260K  pjsemi
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PJM3400NSAN- Enhancement Mode Field Effect TransistorSOT-23 Features VDS = 30V,ID = 5.8ARDS(ON)

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PJM3401PSCP-Channel Power MOSFETSOT-23-3 Features VDS= -30V I = -4.5AD RDS(ON)= 60m(max) @-10V2 Halogen and Antimony Free31Applications1. Gate 2.Source 3.Drain Load Switch and in PWM ApplicationsMarking: P1Schematic DiagramDrain31GateSource2Absolute Maximum Ratings Ratings at TA =25 unless otherwise specified.Parameter Symbol Valu

 8.3. Size:2604K  pjsemi
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PJM3407PSA
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PJM3401PSA P-Enhancement Field Effect TransistorFeaturesSOT-23 High density cell design for ultra low RDS(ON) Fully characterized avalanche voltage and current Excellent package for good heat dissipation1. Gate 2.Source 3.DrainMarking: R1ApplicationsSchematic Diagram Power switching applicationDrain3 Hard switched and high frequency circuits Unint

 8.4. Size:3436K  pjsemi
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PJM3400NSCN- Enhancement Mode Field Effect TransistorSOT-23-3 Features VDS = 30V,ID = 5.8ARDS(ON)

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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