LSK3019FP8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LSK3019FP8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
Encapsulados: EMT3
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LSK3019FP8 datasheet
Otros transistores... PJM3400NSA , PJM3400NSC , PJM3401PSA , PJM3401PSC , PJM3407PSA , PJM3415PSA , PJM84PSA , EM6M2 , SKD502T , LSK3541FS8 , RD3P200SNFRA , RJU002N06 , RK7002BMHZG , RQ3C150BC , RQ5E040TN , RQ5E050AT , RRR040P03FRA .
History: 2SK3496-01MR | ELM32430LA | SM4804DSK | SM7340EHKP | 2SK3573-S | JCS4N60CB
History: 2SK3496-01MR | ELM32430LA | SM4804DSK | SM7340EHKP | 2SK3573-S | JCS4N60CB
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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