RD3P200SNFRA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RD3P200SNFRA
Código: RD3P200SN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 55 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RD3P200SNFRA
RD3P200SNFRA Datasheet (PDF)
rd3p200snfra.pdf
RD3P200SNFRADatasheetNch 100V 20A Power MOSFETlOutlinelVDSS100V DPAKRDS(on)(Max.)46m TO-252ID20APD20W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) AEC-Q101 QualifiedlPackagi
rd3p200sn.pdf
RD3P200SNDatasheetNch 100V 20A Power MOSFETlOutlinelVDSS100V DPAKRDS(on)(Max.)46m TO-252ID20APD20W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmbo
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isc N-Channel MOSFET Transistor RD3P200SNFEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 46m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
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Liste
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