RRR040P03FRA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RRR040P03FRA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-346T
Búsqueda de reemplazo de RRR040P03FRA MOSFET
RRR040P03FRA Datasheet (PDF)
rrr040p03fra.pdf
RRR040P03FRADatasheetPch -30V -4A Small Signal MOSFETlOutlinel SOT-346TVDSS-30V SC-96RDS(on)(Max.)45m TSMT3ID4APD1.0W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Built-in G-S Protection Diode3) Small Surface Mount Package (TSMT3)4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant5) AEC-Q101 Qualified
rrr040p03.pdf
4V Drive Pch MOSFET RRR040P03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSMT3Features(3)1) Low On-resistance.2) Space saving small surface mount package (TSMT3).(1) (2)3) 4V drive.Abbreviated symbol : UG ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode TLBasic ordering unit (pieces) 3000
rrr040p03tl.pdf
RRR040P03TLwww.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT
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History: STD10NM65N | SVF840F
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