RTE002P02 Todos los transistores

 

RTE002P02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RTE002P02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: EMT3

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RTE002P02 datasheet

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RTE002P02

RTE002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTE002P02 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET EMT3 1.6 0.7 0.55 0.3 Features ( ) 3 1) Low On-resistance. ( ) ( ) 2 1 2) Small package (EMT3). 0.2 0.2 0.15 0.5 0.5 3) 2.5V drive. 1.0 (1)Source (2)Gate Applications (3)Drain Abbreviated symbol TW Switching Package specifications

 0.1. Size:52K  rohm
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RTE002P02

RTE002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTE002P02 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET EMT3 1.6 0.7 0.55 0.3 Features ( ) 3 1) Low On-resistance. ( ) ( ) 2 1 2) Small package (EMT3). 0.2 0.2 0.15 0.5 0.5 3) 2.5V drive. 1.0 (1)Source (2)Gate Applications (3)Drain Abbreviated symbol TW Switching Package specifications

Otros transistores... RJU002N06 , RK7002BMHZG , RQ3C150BC , RQ5E040TN , RQ5E050AT , RRR040P03FRA , RSQ035P03 , RSR025P03 , NCEP15T14 , RTM002P02 , RTQ020N05HZG , RTQ025P02 , RTU002P02 , RUC002N05HZGT116 , RV2C014BC , SCT2080KE , SCT2160KE .

History: NTF3055-160T1 | WMJ30N80M3 | WMM28N60F2 | LP4411ET1G | NTD4965N | APM9988QB | SM1105NSV

 

 

 

 

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