Справочник MOSFET. RTE002P02

 

RTE002P02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RTE002P02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: EMT3
 

 Аналог (замена) для RTE002P02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTE002P02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  rohm
 rte002p02.pdf pdf_icon

RTE002P02

RTE002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTE002P02 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET EMT31.6 0.70.550.3 Features ( )31) Low On-resistance. ( ) ( )2 12) Small package (EMT3). 0.2 0.20.150.5 0.53) 2.5V drive. 1.0(1)Source(2)Gate Applications (3)Drain Abbreviated symbol : TWSwitching Package specifications

 0.1. Size:52K  rohm
 rte002p02tl.pdf pdf_icon

RTE002P02

RTE002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTE002P02 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET EMT31.6 0.70.550.3 Features ( )31) Low On-resistance. ( ) ( )2 12) Small package (EMT3). 0.2 0.20.150.5 0.53) 2.5V drive. 1.0(1)Source(2)Gate Applications (3)Drain Abbreviated symbol : TWSwitching Package specifications

Другие MOSFET... RJU002N06 , RK7002BMHZG , RQ3C150BC , RQ5E040TN , RQ5E050AT , RRR040P03FRA , RSQ035P03 , RSR025P03 , IRFP450 , RTM002P02 , RTQ020N05HZG , RTQ025P02 , RTU002P02 , RUC002N05HZGT116 , RV2C014BC , SCT2080KE , SCT2160KE .

History: IRFS3107-7P | WTK9435 | NTB90N02

 

 
Back to Top

 


 
.