RTE002P02 - описание и поиск аналогов

 

RTE002P02. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RTE002P02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: EMT3

Аналог (замена) для RTE002P02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTE002P02 даташит

 ..1. Size:54K  rohm
 rte002p02.pdf pdf_icon

RTE002P02

RTE002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTE002P02 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET EMT3 1.6 0.7 0.55 0.3 Features ( ) 3 1) Low On-resistance. ( ) ( ) 2 1 2) Small package (EMT3). 0.2 0.2 0.15 0.5 0.5 3) 2.5V drive. 1.0 (1)Source (2)Gate Applications (3)Drain Abbreviated symbol TW Switching Package specifications

 0.1. Size:52K  rohm
 rte002p02tl.pdf pdf_icon

RTE002P02

RTE002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTE002P02 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET EMT3 1.6 0.7 0.55 0.3 Features ( ) 3 1) Low On-resistance. ( ) ( ) 2 1 2) Small package (EMT3). 0.2 0.2 0.15 0.5 0.5 3) 2.5V drive. 1.0 (1)Source (2)Gate Applications (3)Drain Abbreviated symbol TW Switching Package specifications

Другие MOSFET... RJU002N06 , RK7002BMHZG , RQ3C150BC , RQ5E040TN , RQ5E050AT , RRR040P03FRA , RSQ035P03 , RSR025P03 , NCEP15T14 , RTM002P02 , RTQ020N05HZG , RTQ025P02 , RTU002P02 , RUC002N05HZGT116 , RV2C014BC , SCT2080KE , SCT2160KE .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.