RV2C014BC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RV2C014BC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Encapsulados: DFN1006-3
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RV2C014BC datasheet
rv2c014bc.pdf
RV2C014BC Datasheet Pch -20V -1.4A Small Signal MOSFET lOutline l DFN1006-3 VDSS -20V SC-101 RDS(on)(Max.) 300m VML1006 ID 1.4A PD 600mW lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - Resistance, High Current. 2) High Power small mold Package (DFN1006). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackagin
rv2c010un.pdf
RV2C010UN Datasheet Nch 20V 1A Power MOSFET lOutline l VML1006 VDSS 20V RDS(on)(Max.) 470m ID 1.0A PD 400mW lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (VML1006). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Fre
rv2c001zp.pdf
RV2C001ZP Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline VDSS -20V VML1006 (3) RDS(on) (Max.) 3.8W ID -100mA (2) PD 100mW (1) lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(-1.2V) makes this device ideal for partable equipment. (1) Gate (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in ESD Protection Diode. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION
rv2c002un.pdf
RV2C002UN Nch 20V 180mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline VDSS 20V VML1006 (3) RDS(on) (Max.) 2.0W ID 180mA (2) PD 100mW (1) lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(1.2V) makes this device ideal for partable equipment. (1) Gate (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in ESD Protection Diode. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE
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Liste
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