RV2C014BC. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: RV2C014BC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: DFN1006-3
Аналог (замена) для RV2C014BC
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
RV2C014BC даташит
rv2c014bc.pdf
RV2C014BC Datasheet Pch -20V -1.4A Small Signal MOSFET lOutline l DFN1006-3 VDSS -20V SC-101 RDS(on)(Max.) 300m VML1006 ID 1.4A PD 600mW lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - Resistance, High Current. 2) High Power small mold Package (DFN1006). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackagin
rv2c010un.pdf
RV2C010UN Datasheet Nch 20V 1A Power MOSFET lOutline l VML1006 VDSS 20V RDS(on)(Max.) 470m ID 1.0A PD 400mW lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (VML1006). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Fre
rv2c001zp.pdf
RV2C001ZP Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline VDSS -20V VML1006 (3) RDS(on) (Max.) 3.8W ID -100mA (2) PD 100mW (1) lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(-1.2V) makes this device ideal for partable equipment. (1) Gate (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in ESD Protection Diode. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION
rv2c002un.pdf
RV2C002UN Nch 20V 180mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline VDSS 20V VML1006 (3) RDS(on) (Max.) 2.0W ID 180mA (2) PD 100mW (1) lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(1.2V) makes this device ideal for partable equipment. (1) Gate (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in ESD Protection Diode. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE
Другие MOSFET... RSQ035P03 , RSR025P03 , RTE002P02 , RTM002P02 , RTQ020N05HZG , RTQ025P02 , RTU002P02 , RUC002N05HZGT116 , BS170 , SCT2080KE , SCT2160KE , SCT2280KE , SCT2750NY , SCT2H12NZ , SCT3080KL , SCT3080KLHR , SCT3120AL .
History: RUC002N05HZGT116 | IRF7351
History: RUC002N05HZGT116 | IRF7351
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945




