RV2C014BC - описание и поиск аналогов

 

RV2C014BC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RV2C014BC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: DFN1006-3

Аналог (замена) для RV2C014BC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RV2C014BC даташит

 ..1. Size:2444K  rohm
rv2c014bc.pdfpdf_icon

RV2C014BC

RV2C014BC Datasheet Pch -20V -1.4A Small Signal MOSFET lOutline l DFN1006-3 VDSS -20V SC-101 RDS(on)(Max.) 300m VML1006 ID 1.4A PD 600mW lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - Resistance, High Current. 2) High Power small mold Package (DFN1006). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackagin

 8.1. Size:2649K  rohm
rv2c010un.pdfpdf_icon

RV2C014BC

RV2C010UN Datasheet Nch 20V 1A Power MOSFET lOutline l VML1006 VDSS 20V RDS(on)(Max.) 470m ID 1.0A PD 400mW lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (VML1006). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Fre

 9.1. Size:603K  rohm
rv2c001zp.pdfpdf_icon

RV2C014BC

RV2C001ZP Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline VDSS -20V VML1006 (3) RDS(on) (Max.) 3.8W ID -100mA (2) PD 100mW (1) lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(-1.2V) makes this device ideal for partable equipment. (1) Gate (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in ESD Protection Diode. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION

 9.2. Size:581K  rohm
rv2c002un.pdfpdf_icon

RV2C014BC

RV2C002UN Nch 20V 180mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline VDSS 20V VML1006 (3) RDS(on) (Max.) 2.0W ID 180mA (2) PD 100mW (1) lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(1.2V) makes this device ideal for partable equipment. (1) Gate (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in ESD Protection Diode. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE

Другие MOSFET... RSQ035P03 , RSR025P03 , RTE002P02 , RTM002P02 , RTQ020N05HZG , RTQ025P02 , RTU002P02 , RUC002N05HZGT116 , BS170 , SCT2080KE , SCT2160KE , SCT2280KE , SCT2750NY , SCT2H12NZ , SCT3080KL , SCT3080KLHR , SCT3120AL .

History: RUC002N05HZGT116 | IRF7351

 

 

 

 

↑ Back to Top
.