SCT3120AL Todos los transistores

 

SCT3120AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SCT3120AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 103 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.156 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247N
     - Selección de transistores por parámetros

 

SCT3120AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:897K  rohm
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SCT3120AL

SCT3120ALN-channel SiC power MOSFET DatasheetOutline TO-247NVDSS650VRDS(on) (Typ.)120mID21A(3) PD103W (2) (1) Inner circuit(2)Features(1) Gate(2) Drain1) Low on-resistance(3) Source*1(1)2) Fast switching speed*1 Body Diode3) Fast reverse recovery(3)4) Easy to parallelPackaging specifications5) Simple to drivePacking Tube

 9.1. Size:735K  rohm
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SCT3120AL

SCT3160KLN-channel SiC power MOSFET DatasheetOutline TO-247NVDSS1200VRDS(on) (Typ.)160mID17A(3) PD103W (2) (1) Inner circuit(2)Features(1) Gate(2) Drain1) Low on-resistance(3) Source*1(1)2) Fast switching speed*1 Body Diode3) Fast reverse recovery(3)4) Easy to parallelPackaging specifications5) Simple to drivePacking Tub

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History: OSG07N65PF | SSG4394N | AON2809 | HUF75623P3 | AON3806 | NTMS5P02 | STS4DPF30L

 

 
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