STV4NA60 Todos los transistores

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STV4NA60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STV4NA60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.2 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO10

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STV4NA60 Datasheet (PDF)

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