OSG65R1K4PF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: OSG65R1K4PF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 28.4 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 6.7 nC
   Tiempo de subida (tr): 20.7 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 21.1 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET OSG65R1K4PF

OSG65R1K4PF Datasheet (PDF)

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OSG65R1K4xF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG65R1K4AF, OSG65R1K4DF, OSG65R1K4FF, OSG65R1K4PF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Genera

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