OSG65R1K4PF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG65R1K4PF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG65R1K4PF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21.1 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для OSG65R1K4PF

OSG65R1K4PF Datasheet (PDF)

..1. Size:1166K oriental semi
osg65r1k4af osg65r1k4df osg65r1k4ff osg65r1k4pf.pdf

OSG65R1K4xF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG65R1K4AF, OSG65R1K4DF, OSG65R1K4FF, OSG65R1K4PF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Genera

..2. Size:995K oriental semi
osg65r1k4pf.pdf