OSG65R580DEF Todos los transistores

OSG65R580DEF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: OSG65R580DEF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42.1 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm

Encapsulados: TO252

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros