SFG08R06DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFG08R06DF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 148 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1304.2 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SFG08R06DF MOSFET
SFG08R06DF Datasheet (PDF)
Otros transistores... OSG65R380DEF , OSG65R380FEF , OSG65R580DEF , OSG65R900DTF , OSG70R600FF , OSG70R750DF , OSG80R1K4DF , OSG80R250FF , IRF730 , SFG100N08PF , SFG10S10PF , SFS06R03DF , SFS06R03PF , SFS06R06DF , SFS06R06PF , F501D , PIP8205-S8 .
History: AP95T10GP | WSP4099 | AOWF190A60 | PJM2301PSA-S | OSG60R2K2DF | SI3552DV | OSG60R2K2FSF
History: AP95T10GP | WSP4099 | AOWF190A60 | PJM2301PSA-S | OSG60R2K2DF | SI3552DV | OSG60R2K2FSF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992