SFG100N08PF Todos los transistores

 

SFG100N08PF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFG100N08PF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 148 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 53.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 6.5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1779 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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SFG100N08PF Datasheet (PDF)

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