SFG100N08PF - описание и поиск аналогов

 

SFG100N08PF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SFG100N08PF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 148 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1779 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SFG100N08PF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFG100N08PF даташит

 ..1. Size:881K  oriental semi
sfg100n08pf.pdfpdf_icon

SFG100N08PF

 5.1. Size:955K  oriental semi
sfg100n08kf.pdfpdf_icon

SFG100N08PF

 5.2. Size:844K  oriental semi
sfg100n08gf.pdfpdf_icon

SFG100N08PF

 7.1. Size:818K  oriental semi
sfg100n10kf.pdfpdf_icon

SFG100N08PF

Другие MOSFET... OSG65R380FEF , OSG65R580DEF , OSG65R900DTF , OSG70R600FF , OSG70R750DF , OSG80R1K4DF , OSG80R250FF , SFG08R06DF , IRF730 , SFG10S10PF , SFS06R03DF , SFS06R03PF , SFS06R06DF , SFS06R06PF , F501D , PIP8205-S8 , PIP8205-Z6 .

History: SUD23N06-31

 

 

 

 

↑ Back to Top
.