PSA07N65 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PSA07N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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PSA07N65 datasheet
psa07n65.pdf
PSA07N65 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),Typ. ID RoHS Compliant 650V 1.1 7.0A RDS(ON),typ.=1.1 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Standby Power G D S TO-220F Ordering Information Part Number Package Brand Package No to Scale PSA07N6
Otros transistores... SFS06R06DF , SFS06R06PF , F501D , PIP8205-S8 , PIP8205-Z6 , PSA04N65B , PSA06N40 , PSP06N40 , IRF1404 , PSA10N60C , PSA10N65C , PSA13N50 , PSP13N50 , PSP06N70 , PSA06N70 , PSP10N70 , PSA10N70 .
History: SML30B40 | G1NP02ELL | AP3N2R8H | SID9971 | SES760 | HY1001P | BUK457-400A
History: SML30B40 | G1NP02ELL | AP3N2R8H | SID9971 | SES760 | HY1001P | BUK457-400A
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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