PSA07N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PSA07N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de PSA07N65 MOSFET
PSA07N65 Datasheet (PDF)
psa07n65.pdf

PSA07N65 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),Typ. ID RoHS Compliant 650V 1.1 7.0A RDS(ON),typ.=1.1 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Standby Power G D S TO-220F Ordering Information Part Number Package Brand Package No to Scale PSA07N6
Otros transistores... SFS06R06DF , SFS06R06PF , F501D , PIP8205-S8 , PIP8205-Z6 , PSA04N65B , PSA06N40 , PSP06N40 , IRF1404 , PSA10N60C , PSA10N65C , PSA13N50 , PSP13N50 , PSP06N70 , PSA06N70 , PSP10N70 , PSA10N70 .
History: STN4NF20L | PTP4N65 | LBSS84LT1G | OSG60R1K2DF | VN66AD | 2SK3681-01 | 2SK2329S
History: STN4NF20L | PTP4N65 | LBSS84LT1G | OSG60R1K2DF | VN66AD | 2SK3681-01 | 2SK2329S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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