PSA07N65 - описание и поиск аналогов

 

PSA07N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PSA07N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для PSA07N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PSA07N65 даташит

 ..1. Size:942K  pipsemi
 psa07n65.pdf pdf_icon

PSA07N65

PSA07N65 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),Typ. ID RoHS Compliant 650V 1.1 7.0A RDS(ON),typ.=1.1 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Standby Power G D S TO-220F Ordering Information Part Number Package Brand Package No to Scale PSA07N6

Другие MOSFET... SFS06R06DF , SFS06R06PF , F501D , PIP8205-S8 , PIP8205-Z6 , PSA04N65B , PSA06N40 , PSP06N40 , IRF1404 , PSA10N60C , PSA10N65C , PSA13N50 , PSP13N50 , PSP06N70 , PSA06N70 , PSP10N70 , PSA10N70 .

History: 2SK247 | 2SK2504 | AP3P7R0ES

 

 

 

 

↑ Back to Top
.