PSA10N65C Todos los transistores

 

PSA10N65C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PSA10N65C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

PSA10N65C Datasheet (PDF)

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PSA10N65C

PSA10N65C 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 650V 0.70 10A RDS(ON),typ.=0.70 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D SMPS Standby Power S TO-220F Ordering Information Part Number Package Brand Package No to Scale PSA1

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PSA10N65C

PSA10N60C 600V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 600V 0.65 10A RDS(ON),typ.=0.65 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D SMPS Standby Power S TO-220F Ordering Information Part Number Package Brand Package No to Scale PSA1

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PSA10N65C

PSP10N70 PSA10N70 700V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 700V 0.80 10A RDS(ON),typ.=0.80 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D S G D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number Package Brand

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History: STP33N65M2 | RFL1N10L | STP55N06L | BUZ358 | AUIRF2804

 

 
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