PSP13N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PSP13N50  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 195 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm

Encapsulados: TO-220

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PSP13N50 datasheet

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PSP13N50

PSA13N50 PSP13N50 500V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),Typ. ID RoHS Compliant 500V 0.40 13A RDS(ON),typ.=0.40 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Standby Power Ordering Information Part Number Package Brand PSA13N50 TO-220F PSP13N50 TO-220

Otros transistores... PIP8205-Z6, PSA04N65B, PSA06N40, PSP06N40, PSA07N65, PSA10N60C, PSA10N65C, PSA13N50, IRFP260N, PSP06N70, PSA06N70, PSP10N70, PSA10N70, PSU04N65B, PSD04N65B, PSU07N65, PSD07N65