PSP13N50 Todos los transistores

 

PSP13N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PSP13N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 195 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de PSP13N50 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PSP13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:794K  pipsemi
 psa13n50 psp13n50.pdf pdf_icon

PSP13N50

PSA13N50 PSP13N50 500V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),Typ. ID RoHS Compliant 500V 0.40 13A RDS(ON),typ.=0.40 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Standby Power Ordering Information Part Number Package Brand PSA13N50 TO-220F PSP13N50 TO-220

Otros transistores... PIP8205-Z6 , PSA04N65B , PSA06N40 , PSP06N40 , PSA07N65 , PSA10N60C , PSA10N65C , PSA13N50 , 10N60 , PSP06N70 , PSA06N70 , PSP10N70 , PSA10N70 , PSU04N65B , PSD04N65B , PSU07N65 , PSD07N65 .

History: SSM2307G | CMI80N06 | IRF830ALPBF | RUH30150M

 

 
Back to Top

 


 
.