Справочник MOSFET. PSP13N50

 

PSP13N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PSP13N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для PSP13N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PSP13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:794K  pipsemi
 psa13n50 psp13n50.pdf pdf_icon

PSP13N50

PSA13N50 PSP13N50 500V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),Typ. ID RoHS Compliant 500V 0.40 13A RDS(ON),typ.=0.40 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Standby Power Ordering Information Part Number Package Brand PSA13N50 TO-220F PSP13N50 TO-220

Другие MOSFET... PIP8205-Z6 , PSA04N65B , PSA06N40 , PSP06N40 , PSA07N65 , PSA10N60C , PSA10N65C , PSA13N50 , 10N60 , PSP06N70 , PSA06N70 , PSP10N70 , PSA10N70 , PSU04N65B , PSD04N65B , PSU07N65 , PSD07N65 .

History: SI2305ADS-T1-GE3 | STM8456

 

 
Back to Top

 


 
.