PSP13N50 - описание и поиск аналогов

 

PSP13N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PSP13N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для PSP13N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PSP13N50 даташит

 ..1. Size:794K  pipsemi
 psa13n50 psp13n50.pdf pdf_icon

PSP13N50

PSA13N50 PSP13N50 500V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),Typ. ID RoHS Compliant 500V 0.40 13A RDS(ON),typ.=0.40 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Standby Power Ordering Information Part Number Package Brand PSA13N50 TO-220F PSP13N50 TO-220

Другие MOSFET... PIP8205-Z6 , PSA04N65B , PSA06N40 , PSP06N40 , PSA07N65 , PSA10N60C , PSA10N65C , PSA13N50 , IRFP260N , PSP06N70 , PSA06N70 , PSP10N70 , PSA10N70 , PSU04N65B , PSD04N65B , PSU07N65 , PSD07N65 .

History: APT1001RSLC | 2SK1009 | SMY52

 

 

 

 

↑ Back to Top
.