PSP06N70 Todos los transistores

 

PSP06N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PSP06N70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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PSP06N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:692K  pipsemi
 psp06n70 psa06n70.pdf pdf_icon

PSP06N70

PSP06N70 PSA06N70 700V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 700V 1.35 6.0A RDS(ON),typ.=1.35 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D S G D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number Package Brand

 8.1. Size:894K  pipsemi
 psa06n40 psp06n40.pdf pdf_icon

PSP06N70

PSA06N40 PSP06N40 400V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),Typ. ID RoHS Compliant 400V 0.78 6.0A RDS(ON),typ.=0.78 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Standby Power Ordering Information Part Number Package Brand PSP06N40 TO-220 PSA06N40 TO-220F Absolute Maximum Ra

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History: HY3007P | APT6025BVFR | IRFBA1404PPBF | SVG105R4NKL

 

 
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