PSP06N70 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PSP06N70
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 87.8 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для PSP06N70
PSP06N70 Datasheet (PDF)
psp06n70 psa06n70.pdf
PSP06N70 PSA06N70 700V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 700V 1.35 6.0A RDS(ON),typ.=1.35 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D S G D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number Package Brand
psa06n40 psp06n40.pdf
PSA06N40 PSP06N40 400V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),Typ. ID RoHS Compliant 400V 0.78 6.0A RDS(ON),typ.=0.78 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Standby Power Ordering Information Part Number Package Brand PSP06N40 TO-220 PSA06N40 TO-220F Absolute Maximum Ra
Другие MOSFET... PSA04N65B , PSA06N40 , PSP06N40 , PSA07N65 , PSA10N60C , PSA10N65C , PSA13N50 , PSP13N50 , AO3400 , PSA06N70 , PSP10N70 , PSA10N70 , PSU04N65B , PSD04N65B , PSU07N65 , PSD07N65 , PTA04N100 .
History: IXFY26N30X3 | SW2N65 | SM4805DSK
History: IXFY26N30X3 | SW2N65 | SM4805DSK
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350



