PSU04N65B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PSU04N65B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 86 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de PSU04N65B MOSFET
PSU04N65B Datasheet (PDF)
psu04n65b psd04n65b.pdf
PSU04N65B PSD04N65B 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 650V 1.9 4.0A RDS(ON),typ.=1.9 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G G Charger D D S SMPS Standby Power S TO-251 TO-252 Ordering Information Part Number Package Br
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History: DMT32M5LPS | IPP16CN10N | AP9578GI-HF | SSW60R130S2 | PTA04N100 | QM3058M6 | B5N65
History: DMT32M5LPS | IPP16CN10N | AP9578GI-HF | SSW60R130S2 | PTA04N100 | QM3058M6 | B5N65
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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