PSU04N65B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PSU04N65B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 86 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 8.5 nC
Tiempo de subida (tr): 7 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
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PSU04N65B Datasheet (PDF)
..1. Size:658K pipsemi
psu04n65b psd04n65b.pdf
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PSU04N65B PSD04N65B 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 650V 1.9 4.0A RDS(ON),typ.=1.9 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G G Charger D D S SMPS Standby Power S TO-251 TO-252 Ordering Information Part Number Package Br
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