PTA22N65 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PTA22N65  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 255 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm

Encapsulados: TO-220F

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de PTA22N65 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PTA22N65 datasheet

 ..1. Size:1002K  pipsemi
pta22n65.pdf pdf_icon

PTA22N65

PTA22N65 650V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 650V 350m 22A RDS(ON),typ.=350 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220F Package P

 7.1. Size:1289K  pipsemi
pta22n60.pdf pdf_icon

PTA22N65

PTA22N60 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 600V 300m 22A RDS(ON),typ.=300 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220F Package P

Otros transistores... PTA04N100, PTA04N80, PTA05N65, PTA07N65B, PTA08N100, PTA09N45, PTA13N45, PTA22N60, 2N7002, PTA25N50, PTA26N60, PTA26N65, PTA26N70, PTA28N50, PTF12N90, PTF27N80, PTH03N150