Справочник MOSFET. PTA22N65

 

PTA22N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTA22N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для PTA22N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA22N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1002K  pipsemi
 pta22n65.pdf pdf_icon

PTA22N65

PTA22N65 650V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 650V 350m 22A RDS(ON),typ.=350 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220F Package P

 7.1. Size:1289K  pipsemi
 pta22n60.pdf pdf_icon

PTA22N65

PTA22N60 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 600V 300m 22A RDS(ON),typ.=300 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220F Package P

Другие MOSFET... PTA04N100 , PTA04N80 , PTA05N65 , PTA07N65B , PTA08N100 , PTA09N45 , PTA13N45 , PTA22N60 , K4145 , PTA25N50 , PTA26N60 , PTA26N65 , PTA26N70 , PTA28N50 , PTF12N90 , PTF27N80 , PTH03N150 .

History: SUN0760I2 | SW226N

 

 
Back to Top

 


 
.