PTA22N65 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PTA22N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для PTA22N65
PTA22N65 Datasheet (PDF)
pta22n65.pdf
PTA22N65 650V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 650V 350m 22A RDS(ON),typ.=350 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220F Package P
pta22n60.pdf
PTA22N60 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 600V 300m 22A RDS(ON),typ.=300 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220F Package P
Другие MOSFET... PTA04N100 , PTA04N80 , PTA05N65 , PTA07N65B , PTA08N100 , PTA09N45 , PTA13N45 , PTA22N60 , 2N7002 , PTA25N50 , PTA26N60 , PTA26N65 , PTA26N70 , PTA28N50 , PTF12N90 , PTF27N80 , PTH03N150 .
History: JCS730B | NCEAP60ND30AG | SVS70R900SE3 | SFF430 | 2SK3663 | SVS7N60DD2TR | NCEAP60ND60G
History: JCS730B | NCEAP60ND30AG | SVS70R900SE3 | SFF430 | 2SK3663 | SVS7N60DD2TR | NCEAP60ND60G
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630 | mj2955 | mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424



