PTA26N70 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PTA26N70  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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PTA26N70 datasheet

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PTA26N70

PTA26N70 700V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 700V 350m 26A RDS(ON),typ.=350 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220F Package P

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PTA26N70

PTA26N60 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 600V 250m 26A RDS(ON),typ.=250 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220F Package P

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PTA26N70

PTA26N65 650V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 650V 280m 26A RDS(ON),typ.=280 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220F Package

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