PTH03N150 Todos los transistores

 

PTH03N150 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTH03N150
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PF
 

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PTH03N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:12591K  pipsemi
 pth03n150 pta03n150.pdf pdf_icon

PTH03N150

PTH03N150 PTA03N150 1500V N-ch High Planar MOSFET General Features RoHS Compliant RDS(ON),typ.=5.4 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G Charger D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-220F TO-3PF Part Number Package Brand Package No to Scale PTH03N150 TO-3PF PTA03N150 TO-220F

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History: RU2HE2D | SSM6J207FE | TK11A65W

 

 
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