PTH03N150 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTH03N150 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.2 Ohm
Encapsulados: TO-3PF
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PTH03N150 datasheet
pth03n150 pta03n150.pdf
PTH03N150 PTA03N150 1500V N-ch High Planar MOSFET General Features RoHS Compliant RDS(ON),typ.=5.4 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G Charger D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-220F TO-3PF Part Number Package Brand Package No to Scale PTH03N150 TO-3PF PTA03N150 TO-220F
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History: HGB210N20S | ATM7414NDH | HGB110N20S
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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