Справочник MOSFET. PTH03N150

 

PTH03N150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTH03N150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 36 nC
   trⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PTH03N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:12591K  pipsemi
 pth03n150 pta03n150.pdf pdf_icon

PTH03N150

PTH03N150 PTA03N150 1500V N-ch High Planar MOSFET General Features RoHS Compliant RDS(ON),typ.=5.4 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G Charger D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-220F TO-3PF Part Number Package Brand Package No to Scale PTH03N150 TO-3PF PTA03N150 TO-220F

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: PSMN010-25YLC | AOTF5N50FD | CHM13N07PAGP

 

 
Back to Top

 


 
.