PTH03N150 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTH03N150  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.2 Ohm

Тип корпуса: TO-3PF

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTH03N150

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTH03N150 даташит

 ..1. Size:12591K  pipsemi
 pth03n150 pta03n150.pdf pdf_icon

PTH03N150

PTH03N150 PTA03N150 1500V N-ch High Planar MOSFET General Features RoHS Compliant RDS(ON),typ.=5.4 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G Charger D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-220F TO-3PF Part Number Package Brand Package No to Scale PTH03N150 TO-3PF PTA03N150 TO-220F

Другие IGBT... PTA22N65, PTA25N50, PTA26N60, PTA26N65, PTA26N70, PTA28N50, PTF12N90, PTF27N80, SPP20N60C3, PTA03N150, PTP01N04N, PTP02N03N, PTP02N04N, PTP02N04NB, PTP04N04A, PTP08N06N, PTP08N06NB