Справочник MOSFET. PTH03N150

 

PTH03N150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTH03N150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF
 

 Аналог (замена) для PTH03N150

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTH03N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:12591K  pipsemi
 pth03n150 pta03n150.pdf pdf_icon

PTH03N150

PTH03N150 PTA03N150 1500V N-ch High Planar MOSFET General Features RoHS Compliant RDS(ON),typ.=5.4 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G Charger D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-220F TO-3PF Part Number Package Brand Package No to Scale PTH03N150 TO-3PF PTA03N150 TO-220F

Другие MOSFET... PTA22N65 , PTA25N50 , PTA26N60 , PTA26N65 , PTA26N70 , PTA28N50 , PTF12N90 , PTF27N80 , AON7410 , PTA03N150 , PTP01N04N , PTP02N03N , PTP02N04N , PTP02N04NB , PTP04N04A , PTP08N06N , PTP08N06NB .

History: AUIRF8736M2TR | IPD90N06S4-05 | MTP4835Q8 | AONR34332C

 

 
Back to Top

 


 
.