PTP02N04NB Todos los transistores

 

PTP02N04NB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTP02N04NB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 245 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 910 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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PTP02N04NB Datasheet (PDF)

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PTP02N04NB

PTP02N04NB 40V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Trench Technology 40V 1.65m 245A RDS(ON),typ.=1.65 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification G UPS Inverter D S Ordering Information TO-220

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PTP02N04NB

PTP02N04N40V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 40V 1.6m 280A RDS(ON),typ.=1.6 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification UPS InverterOrdering Information Part Number Package B

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PTP02N04NB

PTP02N03N 30V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Trench Technology 30V 2.6m 120A RDS(ON),typ.=2.6 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters G Motor Bridge Switch D S Oring FET/Load Switching TO-220 Ordering Informatio

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History: 60N06L-TA3-T | LNC4N80 | SFF1310Z | SQM120N04-03L

 

 
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