PTP02N04NB Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PTP02N04NB  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 245 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 910 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm

Encapsulados: TO-220

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PTP02N04NB datasheet

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PTP02N04NB

PTP02N04NB 40V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Trench Technology 40V 1.65m 245A RDS(ON),typ.=1.65 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification G UPS Inverter D S Ordering Information TO-220

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PTP02N04NB

PTP02N04N 40V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 40V 1.6m 280A RDS(ON),typ.=1.6 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification UPS Inverter Ordering Information Part Number Package B

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PTP02N04NB

PTP02N03N 30V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Trench Technology 30V 2.6m 120A RDS(ON),typ.=2.6 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters G Motor Bridge Switch D S Oring FET/Load Switching TO-220 Ordering Informatio

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