PTP09N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTP09N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 208 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 49 nC
Tiempo de subida (tr): 41 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 146 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTP09N90
PTP09N90 Datasheet (PDF)
ptp09n90 pta09n90.pdf
PTP09N90 PTA09N90 900V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 900V 1.2 9A RDS(ON),typ.=1.2 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTP09N90 TO-220 PTA09N90
ptp09n50 pta09n50.pdf
PTP09N50 PTA09N50 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology500V 0.55 9A RDS(ON),typ.=0.55 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTP09N50
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