PTP09N90 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTP09N90  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTP09N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP09N90 даташит

 ..1. Size:883K  pipsemi
 ptp09n90 pta09n90.pdf pdf_icon

PTP09N90

PTP09N90 PTA09N90 900V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 900V 1.2 9A RDS(ON),typ.=1.2 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTP09N90 TO-220 PTA09N90

 8.1. Size:625K  pipsemi
 ptp09n50 pta09n50.pdf pdf_icon

PTP09N90

PTP09N50 PTA09N50 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 500V 0.55 9A RDS(ON),typ.=0.55 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTP09N50

Другие IGBT... PTP04N04A, PTP08N06N, PTP08N06NB, PTP08N08NA, PTP08N65, PTA08N65, PTP09N50, PTA09N50, STP80NF70, PTA09N90, PTP10N40B, PTA10N40B, PTP10N80, PTA10N80, PTP11N08A, PTP11N40, PTA11N40