PTP10N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PTP10N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTP10N80

PTP10N80 Datasheet (PDF)

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ptp10n80 pta10n80.pdf

PTP10N80 PTA10N80 800V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 800V 1.0 10A RDS(ON),typ.=1.0 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications ATX Power G LCD Panel Power D S G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220 TO-220F

8.1. Size:827K pipsemi
ptp10n40b pta10n40b.pdf

PTP10N40B PTA10N40B 400V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 400V 0.45 10A RDS(ON),typ.=0.45 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Ballast and Lighting DC-AC Inverter G D S G D Other Applications S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number

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ptp10hn10.pdf

PTP10HN10100V/100A N-Chnnel MOSFETFeaturesD 100V/100ARDS(ON)=7.1m (typ.)@ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss High avalanche Current% 100 Avalanche TestedApplication Power SupplyTO-220 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maximum Ratings (T =25C unless otherwise noted)ASy

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