SPTA65R160 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPTA65R160
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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SPTA65R160 datasheet
sptp65r160 spta65r160.pdf
SPTP65R160 SPTA65R160 650V N-ch Super-Junction MOSFET General Features BVDSS@ T ID J=150 RDS(ON),typ. Proprietary New Super-Junction Technology 700V 0.16 20A RDS(ON),typ.=0.16 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D S G D SMPS Standby Power S Ordering Inf
spta65r350e.pdf
SPTA65R350E 650V N-ch Multi-Epi Super-Junction MOSFET RDS(ON),typ. ID General Features BVDSS@TjMAX Multi-Epi Process 700V 0.32 12A Proprietary New Super-Junction Technology RDS(ON),typ.=0.32 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D S SMPS Standby Power TO-220F Ordering Information Pa
spta60r130e.pdf
SPTA60R130E 600V N-ch Multi-Epi Super-Junction MOSFET RDS(ON),typ. ID General Features BVDSS@TjMAX Multi-Epi Process 650V 0.11 25A Proprietary New Super-Junction Technology RDS(ON),typ.=0.11 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G Charger D S SMPS Standby Power TO-220F Ordering Information
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Liste
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