RU206B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU206B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU206B

RU206B Datasheet (PDF)

..1. Size:1241K ruichips
ru206b.pdf

RU206BN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/6A, RDS (ON) =20m(Typ.)@VGS=4.5VD RDS (ON) =26m(Typ.)@VGS=2.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedG Lead Free and Green AvailableSSOT23Applications Load Switch PWM ApplicationsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Un

9.1. Size:370K ruichips
ru2060l.pdf

RU2060LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/55A,D RDS (ON) =3.5m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =4.5m(Typ.)@VGS=4.5V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)GSTO252DApplications DC-DC Converters Load SwitchG Power Managemen

9.2. Size:241K ruichips
ru206g.pdf

RU206GN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/6A,RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =24m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedTSSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power ManagementDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: