RU3089M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU3089M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 68 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU3089M

RU3089M Datasheet (PDF)

..1. Size:383K ruichips
ru3089m.pdf

RU3089MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/90A,RDS (ON) =2.4m(Typ.)@VGS=10V DDDDRDS (ON) =3m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSSPIN1PIN1PDFN5060DApplications DC/DC Converters Load switchG

8.1. Size:293K ruichips
ru3089l.pdf

RU3089LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/89A,RDS (ON) =3.8m (Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching Application SystemsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum

9.1. Size:403K ruichips
ru3080l.pdf

RU3080L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/90A, RDS (ON) =2.6m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating U

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: