RU30S15H Todos los transistores

 

RU30S15H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU30S15H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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RU30S15H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:383K  ruichips
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RU30S15H

RU30S15HP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -30V/-15A,D2 RDS (ON) =15m(Typ.)@VGS=-10VD2 RDS (ON) =22m(Typ.)@VGS=-4.5VD1 Low On-ResistanceD1 Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedG2 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)S2G1pin1S1SOP-8ApplicationsPower managementLoad switchBa

 9.1. Size:291K  ruichips
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RU30S15H

RU30S5HP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -30V/-5A,RDS (ON) =38m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =56m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications Power Management.Dual P-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings

 9.2. Size:291K  ruichips
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RU30S15H

RU30S4HP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -30V/-4.8A,RDS (ON) =50m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications Power Management.Dual P-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Rating

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History: IPP120N04S4-01 | PV5G3EA | APT30M17JLL | FQD8P10TM-F085 | WMN07N80M3 | SSF70R1K2S2E | SFQ230N100

 

 
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