RU30S15H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU30S15H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU30S15H

RU30S15H Datasheet (PDF)

..1. Size:383K ruichips
ru30s15h.pdf

RU30S15HP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -30V/-15A,D2 RDS (ON) =15m(Typ.)@VGS=-10VD2 RDS (ON) =22m(Typ.)@VGS=-4.5VD1 Low On-ResistanceD1 Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedG2 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)S2G1pin1S1SOP-8ApplicationsPower managementLoad switchBa

9.1. Size:291K ruichips
ru30s5h.pdf

RU30S5HP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -30V/-5A,RDS (ON) =38m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =56m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications Power Management.Dual P-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings

9.2. Size:291K ruichips
ru30s4h.pdf

RU30S4HP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -30V/-4.8A,RDS (ON) =50m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications Power Management.Dual P-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Rating

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Liste

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