RU6199S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU6199S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Encapsulados: TO263
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RU6199S datasheet
ru6199s.pdf
RU6199S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/200A, D RDS (ON) =2.8m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested G S Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO263 D Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching Applications G S N-Channel MOSFET Absolu
ru6199r.pdf
RU6199R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/200A RDS (ON)=2.8 m (Typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available TO-220 Applications Automotive applications and a wide variety of other applications High Efficiency Synchronous in SMPS High Speed Power Switching N-Channel MOSFET Absolute Maximum
ru6199q.pdf
RU6199Q N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/200A RDS (ON)=2.8 m (Typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Applications TO-247 Automotive applications and a wide variety of other applications High Efficiency Synchronous in SMPS High Speed Power Switching N-Channel MOSFET Absolute Maximum
Otros transistores... RU30J30M , RU30L70L , RU30S15H , RU40190R , RU40191S , RU40C40L4 , RU6070L-A , RU6085H , K3569 , RU6888 , RU7080R , RU7080S , RU7088R , RU75N08 , RU75N08L , RU75N08S , RU8205BC6 .
History: 2SK1237 | PJW4N06A-AU | DG2N65-252 | L1N60 | AOD2910 | ZXMP6A16DN8 | CM8N80
History: 2SK1237 | PJW4N06A-AU | DG2N65-252 | L1N60 | AOD2910 | ZXMP6A16DN8 | CM8N80
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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