STW12N60 Todos los transistores

 

STW12N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW12N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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STW12N60 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:271K  st
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STW12N60

STW12NK90ZN-channel 900V - 0.72 - 11A - TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID pWSTW12NK90Z 900V

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STW12N60

STW12NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW12NA50 500 V

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 stw12na50-.pdf pdf_icon

STW12N60

STW12NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTW12NA50 500 V

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 stb12n120k5 stfw12n120k5 stp12n120k5 stw12n120k5.pdf pdf_icon

STW12N60

STB12N120K5, STFW12N120K5STP12N120K5, STW12N120K5N-channel 1200 V, 0.58 , 12 A DPAK, TO-3PF, TO-220, TO-247Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFETPreliminary dataFeaturesTAB111RDS(on) Order codes VDSS ID PW2max.3312STB12N120K5 250 W1DPAKTO-3PFSTFW12N120K5 63 W1200 V

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