RU8205BC6 Todos los transistores

 

RU8205BC6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU8205BC6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6
     - Selección de transistores por parámetros

 

RU8205BC6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1183K  ruichips
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RU8205BC6

RU8205BC6N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/6A,G2 RDS (ON) =11m(Typ.)@VGS=4.5V RDS (ON) =16m(Typ.)@VGS=2.5V D1/D2 Low RDS (ON)G1 Super High Dense Cell DesignS2 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D1/D2Dual N-Channel MOSFET S1SOT23-6D1 D2Applications Power ManagementG1 G2

 8.1. Size:255K  ruichips
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RU8205BC6

RU8205GN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/6A,RDS (ON) =21m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedTSSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power ManagementDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (T

 8.2. Size:252K  ruichips
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RU8205BC6

RU8205C6N-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/6A,RDS (ON) =22m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOT-23-6Applications Power ManagementDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings

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History: AP98T03GP | HCS80R1K4ST

 

 
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