RUH40130M Todos los transistores

 

RUH40130M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RUH40130M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060
 

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RUH40130M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:383K  ruichips
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RUH40130M

RUH40130MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/130A,RDS (ON) =1.9m(Typ.)@VGS=10V DDDDRDS (ON) =2.7m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSSPIN1PIN1PDFN5060DApplications DC/DC Converters On board power

 8.1. Size:384K  ruichips
ruh40140m.pdf pdf_icon

RUH40130M

RUH40140MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/140A,RDS (ON) =1.4m(Typ.)@VGS=10V DDDDRDS (ON) =1.9m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSSPIN1PIN1PDFN5060DApplications DC/DC Converters On board power

 8.2. Size:287K  ruichips
ruh40190m.pdf pdf_icon

RUH40130M

RUH40190MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/190A,DDRDS (ON) =1.7m(Typ.)@VGS=10VDD Uses Ruichips Proprietary New Trench Technology Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt CapabilityGS Low Gate Charge Minimize Switching LossSS 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)PIN1DFN5060DA

 9.1. Size:319K  ruichips
ruh4022m3.pdf pdf_icon

RUH40130M

RUH4022M3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/20A,DRDS (ON) =16m(Typ.)@VGS=10VDDRDS (ON) =23m(Typ.)@VGS=4.5VD Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Low Gate Charge Minimizing Switching LossG Ultra Low On-Resistance SSS Excellent QgxRDS(on) product(FOM) 100% Avalanche TestedPIN1 Lead Free and Green Devices

Otros transistores... RU75N08L , RU75N08S , RU8205BC6 , RU8590S , RUH1H150R , RUH30120M-C , RUH30150M , RUH3051M2 , IRLB4132 , RUH40140M , RUH4040M2 , RUH60100M , SIF4N65F , SIF5N65F , LPN1010C , LPN2010C , 2N7002KS6 .

History: 1H05 | SRT10N090L | STH12N120K5-2

 

 
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