RUH40130M - описание и поиск аналогов

 

RUH40130M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RUH40130M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060

Аналог (замена) для RUH40130M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH40130M даташит

 ..1. Size:383K  ruichips
ruh40130m.pdfpdf_icon

RUH40130M

RUH40130M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 40V/130A, RDS (ON) =1.9m (Typ.)@VGS=10V D D D D RDS (ON) =2.7m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche tested G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S S S PIN1 PIN1 PDFN5060 D Applications DC/DC Converters On board power

 8.1. Size:384K  ruichips
ruh40140m.pdfpdf_icon

RUH40130M

RUH40140M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 40V/140A, RDS (ON) =1.4m (Typ.)@VGS=10V D D D D RDS (ON) =1.9m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche tested G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S S S PIN1 PIN1 PDFN5060 D Applications DC/DC Converters On board power

 8.2. Size:287K  ruichips
ruh40190m.pdfpdf_icon

RUH40130M

RUH40190M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 40V/190A, DD RDS (ON) =1.7m (Typ.)@VGS=10V D D Uses Ruichips Proprietary New Trench Technology Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt Capability G S Low Gate Charge Minimize Switching Loss S S 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) PIN1 DFN5060 D A

 9.1. Size:319K  ruichips
ruh4022m3.pdfpdf_icon

RUH40130M

RUH4022M3 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 40V/20A, D RDS (ON) =16m (Typ.)@VGS=10V D D RDS (ON) =23m (Typ.)@VGS=4.5V D Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Low Gate Charge Minimizing Switching Loss G Ultra Low On-Resistance S S S Excellent QgxRDS(on) product(FOM) 100% Avalanche Tested PIN1 Lead Free and Green Devices

Другие MOSFET... RU75N08L , RU75N08S , RU8205BC6 , RU8590S , RUH1H150R , RUH30120M-C , RUH30150M , RUH3051M2 , CS150N03A8 , RUH40140M , RUH4040M2 , RUH60100M , SIF4N65F , SIF5N65F , LPN1010C , LPN2010C , 2N7002KS6 .

History: AOC3860C | D2N60 | B2N65

 

 

 

 

↑ Back to Top
.