Справочник MOSFET. RUH40130M

 

RUH40130M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RUH40130M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060
 

 Аналог (замена) для RUH40130M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH40130M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:383K  ruichips
ruh40130m.pdfpdf_icon

RUH40130M

RUH40130MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/130A,RDS (ON) =1.9m(Typ.)@VGS=10V DDDDRDS (ON) =2.7m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSSPIN1PIN1PDFN5060DApplications DC/DC Converters On board power

 8.1. Size:384K  ruichips
ruh40140m.pdfpdf_icon

RUH40130M

RUH40140MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/140A,RDS (ON) =1.4m(Typ.)@VGS=10V DDDDRDS (ON) =1.9m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSSPIN1PIN1PDFN5060DApplications DC/DC Converters On board power

 8.2. Size:287K  ruichips
ruh40190m.pdfpdf_icon

RUH40130M

RUH40190MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/190A,DDRDS (ON) =1.7m(Typ.)@VGS=10VDD Uses Ruichips Proprietary New Trench Technology Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt CapabilityGS Low Gate Charge Minimize Switching LossSS 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)PIN1DFN5060DA

 9.1. Size:319K  ruichips
ruh4022m3.pdfpdf_icon

RUH40130M

RUH4022M3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/20A,DRDS (ON) =16m(Typ.)@VGS=10VDDRDS (ON) =23m(Typ.)@VGS=4.5VD Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Low Gate Charge Minimizing Switching LossG Ultra Low On-Resistance SSS Excellent QgxRDS(on) product(FOM) 100% Avalanche TestedPIN1 Lead Free and Green Devices

Другие MOSFET... RU75N08L , RU75N08S , RU8205BC6 , RU8590S , RUH1H150R , RUH30120M-C , RUH30150M , RUH3051M2 , IRLB4132 , RUH40140M , RUH4040M2 , RUH60100M , SIF4N65F , SIF5N65F , LPN1010C , LPN2010C , 2N7002KS6 .

History: SWT18N50D | IRF7705 | IPW60R170CFD7 | G01N20R | 1H05 | IPP114N12N3G | 8680A

 

 
Back to Top

 


 
.