SIF4N65F Todos los transistores

 

SIF4N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIF4N65F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251 TO251T TO251S TO252 TO252T
     - Selección de transistores por parámetros

 

SIF4N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:788K  cn si
 sif4n65f.pdf pdf_icon

SIF4N65F

 7.1. Size:376K  sisemi
 sif4n65d 2.pdf pdf_icon

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Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF4N65DN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF4N65DN- MOS / N-CHANN

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Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF4N65CN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF4N65CN- MOS / N-CHANN

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Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF4N65CN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF4N65CN- MOS / N-CHANN

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History: IRFS7530PBF | HM24N20KA

 

 
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