SIF4N65F Todos los transistores

 

SIF4N65F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIF4N65F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO-251 TO251T TO251S TO252 TO252T

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SIF4N65F datasheet

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SIF4N65F

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Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF4N65D N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF4N65D N- MOS / N-CHANN

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History: RU6199S | DG2N65-252 | ZXMP6A16DN8 | 2SK1237 | L1N60 | CM8N80 | PJW4N06A-AU

 

 

 

 

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