LPN1010C Todos los transistores

 

LPN1010C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LPN1010C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 52.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 273.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

LPN1010C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:794K  cn shenzhen chip hope micro
 lpn1010c.pdf pdf_icon

LPN1010C

LPN1010C Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Description Features LPN1010C use advanced FSMOSTM technology Low RDS(on)&FOM to provide low RDS(on) fast switching Extremely low switching loss low gate chargeand excellent avalanche characteristics. This device is Excellent stability and uniformity specially designed to get better ruggedness and Fast switchin

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History: BUZ358 | STP33N65M2 | RFL1N10L | STP55N06L

 

 
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