LPN1010C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LPN1010C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 330 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 72 nC
Tiempo de subida (tr): 52.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 273.7 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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LPN1010C Datasheet (PDF)
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LPN1010C Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Description Features LPN1010C use advanced FSMOSTM technology Low RDS(on)&FOM to provide low RDS(on) fast switching Extremely low switching loss low gate chargeand excellent avalanche characteristics. This device is Excellent stability and uniformity specially designed to get better ruggedness and Fast switchin
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