2N7002KS6 Todos los transistores

 

2N7002KS6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N7002KS6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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2N7002KS6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:435K  rectron
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2N7002KS6

2N7002KS6Descriptions N-CHANNEL MOSFET in a SOT-363 Plastic Package. Features Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protected diode. ESD rating:2200V HBMApplications Intended for use in general purpose switching and phase control applications. Pi nni ng Equivalent Circuit PIN1 4 S PIN 2 5 G PIN 3 6 D 2018-10/33REV:D Absolute Maximum Ratings(Ta=25

 6.1. Size:156K  hsmc
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2N7002KS6

Spec. No. : MOS200809 HI-SINCERITY Issued Date : 2008.11.18 Revised Date :2010.04.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H2N7002KSN Pin Assignment & Symbol 33-Lead Plastic SOT-323 H2N7002KSN Package Code: SN Pin 1: Gate 2: Source 3: DrainN-CHANNEL TRANSISTOR 21Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. ESD protected Absolute Maximum Ratings Drai

 6.2. Size:309K  jiejie micro
 jmtd2n7002ks.pdf pdf_icon

2N7002KS6

JMTD2N7002KSDescriptionJMT N-channel MOSFETFeatures Application V =60V, I =0.2A Battery Operated SystemsDS DR

 6.3. Size:305K  jiejie micro
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2N7002KS6

JMTLA2N7002KSDescriptionJMT N-channel MOSFETFeatures Application V =60V, I =0.2A Battery Operated SystemsDS DR

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History: STK0260D | AP3310GH | SWU12N70D | BSP030 | SWD7N65DA | SE100150G | STB100N6F7

 

 
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