2N7002KS6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N7002KS6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
Encapsulados: SOT363
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2N7002KS6 datasheet
2n7002ks6.pdf
2N7002KS6 Descriptions N-CHANNEL MOSFET in a SOT-363 Plastic Package. Features Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protected diode. ESD rating 2200V HBM Applications Intended for use in general purpose switching and phase control applications. Pi nni ng Equivalent Circuit PIN1 4 S PIN 2 5 G PIN 3 6 D 2018-10/33 REV D Absolute Maximum Ratings(Ta=25
h2n7002ksn.pdf
Spec. No. MOS200809 HI-SINCERITY Issued Date 2008.11.18 Revised Date 2010.04.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 H2N7002KSN Pin Assignment & Symbol 3 3-Lead Plastic SOT-323 H2N7002KSN Package Code SN Pin 1 Gate 2 Source 3 Drain N-CHANNEL TRANSISTOR 2 1 Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. ESD protected Absolute Maximum Ratings Drai
jmtd2n7002ks.pdf
JMTD2N7002KS Description JMT N-channel MOSFET Features Application V =60V, I =0.2A Battery Operated Systems DS D R
jmtla2n7002ks.pdf
JMTLA2N7002KS Description JMT N-channel MOSFET Features Application V =60V, I =0.2A Battery Operated Systems DS D R
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History: TN0106 | FDMS3604AS | FDMS5352
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Liste
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